|
103 У}, угла между внешним магнитным полем Н и плоскостью пленки, а также температуры Тс. Как следует из вышеприведенных данных, исследуемые пленки обладали различными значениями и у в слоях. При перпендикулярной ориентации поле однородного резонанса в слое возбуждения (слой с малым затуханием) было значительно выше, а при параллельной ниже, чем в слое закрепления. Поэтому, поскольку при любых направлениях Н стоячие спиновые волны возбуждаются высокочастотным полем в слое с малым а, то в области полей, соответствующей возбуждаемому спектру СВР, слой закрепления будет являться для СВ при перпендикулярной ориентации реактивной средой, при параллельной дисперсивной. Плавный переход слоя закрепления из состояния дисперсивной среды в реактивную осуществлялся двумя способами: а) изменением угла 0 н между Н и нормалью к плоскости пленки; б) изменением температуры. При увеличении угла 0 ц между II и нормалью к пленке происходит сближение полей Н02 и //0/. При некотором вп поля сравниваются, и затем происходит изменение свойств слоя закрепления с реактивных на дисперсивные. В трехслойных пленках (образец №1 в таблице 3.3.1) в которых, слои закрепления являются одинаковыми, а, следовательно одинаковыми будут и условия закрепления на обеих границах слоя возбуждения. Однородным переменным магнитным полем будут возбуждаться только симметричные, относительно середины слоя возбуждения, СВ-моды. Различие в параметрах слоев закрепления трехслойной пленки может привести к ситуации, когда при варьировании, либо 0ц, либо температуры, один из слоев уже перешел из состояния реактивной среды в дисперсивную, в то время как состояние другого слоя нс изменилось. В этом случае условия закрепления для спиновой волны на границах слоя возбуждения будут отличаться друг' от друга, что в свою очередь приведет к изменению се конфигурации и как следствие возбуждению несимметричных СВ-мод (рис. 3.3.1). |
ного поля со. Наоборот, если спектр лежит в области полей Н > Н0/, слой закрепления будет является для спиновых волн реактивной (упругой) средой со0{ > со. Таким образом, для осуществления перехода слоя закрепления из одного состояния в другое необходимо изменять или частоту СВЧ-иоля со, или собственную частоту однородной прецессии бУ0/ = у,Н0/ путем изменения поля однородного резонанса Н0/. Расположение полей однородного резонанса слоя возбуждения Н02 и закрепления /Уд,зависит от значений эффективных полей анизотропии Не^ в слоях, гиромагнитных отношений /2 и , угла между внешним магнитным полем И и плоскостью пленки, а также температуры Т. Как следует из вышеприведенных данных, исследуемые пленки обладали различными значениями Нр' и у в слоях. При перпендикулярной ориентации поле однородного резонанса в слое возбуждения (слой с малым загуханием) было значительно выше, а при параллельной ниже, чем в слое закрепления. Поэтому, поскольку при любых направлениях И стоячие спиновые волны возбуждаются высокочастотным полем в слое с малым а, то в области полей, соответствующей возбуждаемому спектру СВР, слой закрепления будет являться для СВ при перпендикулярной ориентации реактивной средой, при параллельной дисперсивной. Плавный переход слоя закрепления из состояния дисперсивной среды в реактивную осуществлялся двумя способами: а) изменением угла 6ц между Н и нормалью к плоскости пленки; б) изменением температуры. При увеличении угла Оц между Н и нормалью к пленке происходит сближение полей Н02 и И0/. При некотором Он поля сравниваются, и затем происходит изменение свойств слоя закрепления с реактивных на дисперсивные. Другой способ перехода слоя закрепления из состояния дисперсивной среды в реактивную состоял в следующем. Поскольку температурные коэффициенты полей /У02 и 92 Н0! в слоях имеют разный знак из-за различия знака соответствующих полей анизотропии, кроме того, значения у в слоях различны, поэтому при увеличении температуры имеет место пересечение зависимостей //02 (^) и Н01 (Г) и, как следствие, при некотором значении Т происходит вышеотмеченный переход. Влияние состояния слоя закрепления (среда реактивная или дисперсивная) на конфигурацию спиновой волны в двухслойной пленке показаны на рис. 3.3 а. В трехслойных пленках (образец №3 в таблице 3.1) в которых, слои закрепления являются одинаковыми, а, следовательно одинаковыми будут и условия закрепления на обеих границах слоя возбуждения. Однородным переменным магнитным полем будут возбуждаться только симметричные, относительно середины слоя возбуждения, СВ-моды. Анализ спин-волновых возбуждений в этом случае можно вести в приближении двухслойной пленки с соответствующими параметрами слоев и с половинной толщиной слоя возбуждения. Различие в параметрах слоев закрепления трехслойной пленки может привести к ситуации, когда при варьировании, либо 0ц, либо температуры, один из слоев уже перешел из состояния реактивной среды в дисперсивную, в то время как состояние другого слоя не изменилось. В этом случае условия закрепления для спиновой волны на противоположных границах слоя возбуждения будут отличаться друг от друга, что в свою очередь приведет к изменению ее конфигу рации и как следствие возбуждению несимметричных СВмод (рис. 3.3 б). Таким образом, в данных условиях возможно возбуждение нечетных СВ-мод, которым будет соответствовать отличная от нуля, переменная намагниченность. Но интенсивности линий поглощения несимметричных мод будут существенно меньшими по сравнению с симметричными. |