107 пересечение полей однородного резонанса слоя возбуждения Н02 {0П ) и слоев закрепления -//0,(#я) и ^оз(^я)» показанное на рис. 3.3.2 а. Для этой пленки, пересечение зависимостей Н^2{0И) и //01 ), а также Н02(@ц) и Ноз(0н) происходили практически одновременно, при одном и том же угле вн . В результате, переходы слоев закрепления из состояния реактивной среды в дисперсивнную происходили одновременно. На зависимостях 7/0 — IIп для мод с п > 4 для образца №1 наблюдается разрыв, обусловленный гем, что в некотором интервале углов 0Г1, моды высокого порядка перестают наблюдаться в спектре СВР этого образца. Проделанный анализ показал, что данной ситуации отвечает симметричный профиль переменной намагниченности возбуждаемых СВ-мод. Для таких мод, середине слоя возбуждения отвечает условие: аналогичное условию свободной поверхности слоя возбуждения в двухслойной структуре. Данное обстоятельство, позволяет упростить анализ трехслойных пленок с одинаковыми слоями закрепления, а именно, его можно провести на модели двухслойной пленки с соответствующими параметрами слоев закрепления и возбуждения, но с уменьшенной в два раза толщиной последнего. Если же слои закрепления имеют различные магнитные параметры, а ) пересекается и с //01 (0И), и с нт{0„) , как это имеет место для образца.№2 (рис. 3.3.3 а), то на зависимости (//0 — Дважды наблюдается нерегулярность (рис. 3.3.3 б), для образца №2 участки 10° <вн <35° и 40° 0ц ^ 60 . Для всех исследованных трехслоипых образцов, имеющих пересечения зависимости НО2{0И) в слое возбуждения с |
96 Г * обусловленный тем, что в некотором интервале углов 0Н, моды высокого порядка перестают наблюдаться в спектре СВР этого образца. Отмеченные особенности на зависимостях Н0 — Нп также наблюдались в трехслойных пленках, для которых имело место пересечение полей однородного резонанса слоя возбуждения Н02 с полями однородного резонанса слоев закрепления //01 и Н03. Зависимость Н0 — Нп> аналогичную двухслойным пленкам, показал трехслойный образец №3, имеющий одинаковые по составу и параметрам слои закрепления. Для этой пленки, пересечение зависимостей Н02 (0ц ) и Но (Рн ), а также Н02и Ноз(#//) соответствовало одному и тому же интервалу углов в1{ (рис. 3.5 а). В этом случае переходы слоев закрепления из состояния реактивной среды в дисперсивную происходили при одинаковых значениях 0И. Соответствующая этим переходам особенность на зависимости Н0 — Нп показана на рис. 3.5 б. Проведенный анализ показал, что данной ситуации отвечает симметричный, относительно середины слоя возбуждения, профиль переменной намагниченности. Для симметричных СВ-мод, середине слоя возбуждения отвечает условие отсутствия закрепления дт2 д2 = о, аналогичное условию свободной поверхности слоя возбуждения в двухслойных структурах. Это, в свою очередь, позволяет упростить анализ трехслойных пленок с одинаковыми слоями закрепления, до уровня двухслойных, с половинной толщиной слоя возбуждения. Если же слои закрепления имеют различные магнитные параметры, а Н02 пересекается и с Н01, и с //03, как это было для образца №4 |