Проверяемый текст
Куляпин Андрей Валентинович. Расчет спектров спин-волнового резонанса в пленках с диссипативным и смешанным механизмами закрепления спинов (Диссертация 2003)
[стр. 55]

связаны так, что полный механический момент близок к нулю при значительном магнитном моменте.
Следовательно, эффективный % фактор имеет аномально высокое значение.
Ионы
ЛИ3* имеют большой орбитальный магнитный момент, анти параллельный спиновому.
При этом полный магнитный момент иона
ЛИ^, находящегося в с подрешетке, ориентируется параллельно магнитному моменту с! подрешетки.
Для получения нужных свойств в с подрешетку вводят
различиые редкоземельные ионы У и 2?/3+, в а подрешетку ионы 5б,3+и У / 4 * , с1~ подрешетку ионы Саи, АГ\ &’4+ [60].
Когда используются четырехвалентные ионы, для компенсации
заряда в с подрешетку вводят равное количество ионов Са~У.
Любое замещение
Ге^ в тетраэдрической подрешетке уменьшает АтгМз, а в октаэдрической увеличивает.
Когда
17еи замещается ионами СаУ\ то 90 % ионов Ссг3+ входят в с! подрешетку, а остальные в а подрешетку.
Когда для замещения используется
Сел', то 98 % этих ионов входят в с1 подрешетку.
Следовательно, замещение
Сел~ является более эффективным для уменьшения намагниченности насыщения.
Введение в а и
<1 подрешетки немагнитных ионов уменьшает взаимодействие между ними и, как следствие, снижает константу обменного взаимодействия [60].
Магнитная анизотропия в ферромагнетиках может иметь несколько источников: возникать в процессе роста, носить магнитокристаллическую природу или наводиться вследствие напряжений
[60, 61].
Поскольку гранаты являются кубическими кристаллами, то одноосная анизотропия
нс может возникнуть вследствие кристаллической анизотропии.
Она наводится в пленках в основном в процессе эпитаксиального роста (ростовая анизотропия), а напряжения обычно вносят небольшой вклад (при несоответствии параметров решетки пленки и подложки).
Кубическая анизотропия также мала по сравнению с одноосной
К] « Ки [60].
Механизм возникновения ростовой анизотропии в пленках ФГ в настоящее время полностью не изучен.
Однако ряд 55
[стр. 55]

(*; связаны так, что полный механический момент близок к нулю при значительном магнитном моменте.
Следовательно, эффективный % фактор имеет аномально высокое значение.
Ионы
Nс^3* имеют большой орбитальный магнитный момент, антипараллельный спиновому.
При этом полный магнитный момент иона
Ыс!3*, находящегося в с подрешетке, ориентируется параллельно магнитному моменту с1 подрешетки.
Для получения нужных свойств в с подрешетку вводят
различные редкоземельные ионы V3* и 2?/3+, в а подрешетку ионы 8с3* и 774+, с1подрешетку ионы Со3*, А13*, $/4+ [82].
Когда используются четырехвалентные ионы, для компен^
1 сации заряда в с подрешетку вводят равное количество ионов Сс?*.
Любое замещение
Ре3* в тетраэдрической подрешетке уменьшает 4лМа в октаэдрической увеличивает.
Когда
Ре3* замещается ионами Са3', то 90 % ионов Со3* входят ъ с1 подрешетку, а остальные в а подрешетку.
Когда для замещения используется
Се4*, то 98 % этих ионов входят в с1 подрешетку.
Следовательно, замещение
Се4* является более эффективным для уменьшения намагниченности насыщения.
Введение в а и
с1 подрешетки немагнитных ионов уменьшает взаимодействие между ними и, как следствие, снижает константу обменного взаимодействия [82].
Магнитная анизотропия в ферромагнетиках может иметь несколько ис^ точников: возникать в процессе роста, носить магнитокристаллическую природу или наводиться вследствие напряжений
[82, 83].
Поскольку гранаты являются кубическими кристаллами, то одноосная анизотропия
не может возникнуть вследствие кристаллической анизотропии.
Она наводится в пленках в основном в процессе эпитаксиального роста (ростовая анизотропия), а напряжения обычно вносят небольшой вклад (при несоответствии параметров решетки пленки и подложки).
Кубическая анизотропия также мала по сравнению с одноосной
АГ, « Ки [82].
Механизм возникновения ростовой ани55 4

[Back]