связаны так, что полный механический момент близок к нулю при значительном магнитном моменте. Следовательно, эффективный % фактор имеет аномально высокое значение. Ионы ЛИ3* имеют большой орбитальный магнитный момент, анти параллельный спиновому. При этом полный магнитный момент иона ЛИ^, находящегося в с подрешетке, ориентируется параллельно магнитному моменту с! подрешетки. Для получения нужных свойств в с подрешетку вводят различиые редкоземельные ионы У и 2?/3+, в а подрешетку ионы 5б,3+и У / 4 * , с1~ подрешетку ионы Саи, АГ\ &’4+ [60]. Когда используются четырехвалентные ионы, для компенсации заряда в с подрешетку вводят равное количество ионов Са~У. Любое замещение Ге^ в тетраэдрической подрешетке уменьшает АтгМз, а в октаэдрической увеличивает. Когда 17еи замещается ионами СаУ\ то 90 % ионов Ссг3+ входят в с! подрешетку, а остальные в а подрешетку. Когда для замещения используется Сел', то 98 % этих ионов входят в с1 подрешетку. Следовательно, замещение Сел~ является более эффективным для уменьшения намагниченности насыщения. Введение в а и <1 подрешетки немагнитных ионов уменьшает взаимодействие между ними и, как следствие, снижает константу обменного взаимодействия [60]. Магнитная анизотропия в ферромагнетиках может иметь несколько источников: возникать в процессе роста, носить магнитокристаллическую природу или наводиться вследствие напряжений [60, 61]. Поскольку гранаты являются кубическими кристаллами, то одноосная анизотропия нс может возникнуть вследствие кристаллической анизотропии. Она наводится в пленках в основном в процессе эпитаксиального роста (ростовая анизотропия), а напряжения обычно вносят небольшой вклад (при несоответствии параметров решетки пленки и подложки). Кубическая анизотропия также мала по сравнению с одноосной К] « Ки [60]. Механизм возникновения ростовой анизотропии в пленках ФГ в настоящее время полностью не изучен. Однако ряд 55 |
(*; связаны так, что полный механический момент близок к нулю при значительном магнитном моменте. Следовательно, эффективный % фактор имеет аномально высокое значение. Ионы Nс^3* имеют большой орбитальный магнитный момент, антипараллельный спиновому. При этом полный магнитный момент иона Ыс!3*, находящегося в с подрешетке, ориентируется параллельно магнитному моменту с1 подрешетки. Для получения нужных свойств в с подрешетку вводят различные редкоземельные ионы V3* и 2?/3+, в а подрешетку ионы 8с3* и 774+, с1подрешетку ионы Со3*, А13*, $/4+ [82]. Когда используются четырехвалентные ионы, для компен^ 1 сации заряда в с подрешетку вводят равное количество ионов Сс?*. Любое замещение Ре3* в тетраэдрической подрешетке уменьшает 4лМа в октаэдрической увеличивает. Когда Ре3* замещается ионами Са3', то 90 % ионов Со3* входят ъ с1 подрешетку, а остальные в а подрешетку. Когда для замещения используется Се4*, то 98 % этих ионов входят в с1 подрешетку. Следовательно, замещение Се4* является более эффективным для уменьшения намагниченности насыщения. Введение в а и с1 подрешетки немагнитных ионов уменьшает взаимодействие между ними и, как следствие, снижает константу обменного взаимодействия [82]. Магнитная анизотропия в ферромагнетиках может иметь несколько ис^ точников: возникать в процессе роста, носить магнитокристаллическую природу или наводиться вследствие напряжений [82, 83]. Поскольку гранаты являются кубическими кристаллами, то одноосная анизотропия не может возникнуть вследствие кристаллической анизотропии. Она наводится в пленках в основном в процессе эпитаксиального роста (ростовая анизотропия), а напряжения обычно вносят небольшой вклад (при несоответствии параметров решетки пленки и подложки). Кубическая анизотропия также мала по сравнению с одноосной АГ, « Ки [82]. Механизм возникновения ростовой ани55 4 |