|
63 Намагниченность насыщения 4тгМх измеряли методом Фарадея [66], а также методом, основанном на измерении интенсивности и ширины линии ФМР [65]. Константу обменного взаимодействия А вычисляли, используя зависимость А от температуры Кюри Тк, которая, в свою очередь, может быть измерена с высокой точностью, например, методом ФМР: где А0 — константа обменного взаимодействия ФГ, у которого отсутствуют ионы замещения в а и с1 подрешетках, Тко = 560К его температура Кюри [67]. Для пленок с малым параметром затухания значение А при известных 4пМ^ И и определенных граничных условиях определялось также из спектра СВР. Определение кристаллографических направлений. Пленки, исследованные в работе, были выращены на промышленных подложках из гадолинийгаллиевого граната с плоскостью (111). Нахождение расположения кристаллографических осей в таких пленках, а также пленках с другими плоскостями производили рентгеновским методом. Кроме того, определение расположения осей в пленках осуществлялось путем анализа угловых зависимостей резонансного поля и интенсивности [68]. Отметим, что азимутальная зависимость я>„) при промежуточных значениях вн(20° < вИ <70°) позволяет довольно точно определить и расположение кристаллографических плоскостей {ПО}, перпендикулярных плоскости пленки, а также при известном знаке К], расположение осей ^1 10у и (] \2) в плоскости пленки (111). Такой прием определения плоскости (ПО) использовался и при определении Нк] по полярным зависимостям. (2.2.3) |
62 Я. .4-1 \ Намагниченность насыщения 4кК1$ измеряли методом Фарадея [88]» а также методом, основанном на измерении интенсивности и ширины линии ФМР [87]. Константу обменного взаимодействия А вычисляли, используя зависимость А от температуры Кюри Тк, которая, в свою очередь, может быть измерена с высокой точностью, например, методом ФМР: А = (Тк Т) (Тко-Т)’ (2.7) где А0 константа обменного взаимодействия ФГ, у которого отсутствуют ионы замещения в а и с! подрешетках, Тко = 560 К его температура Кюри [89]. Для пленок с малым параметром затухания значение А при известных 47 г М И и определенных граничных условиях определялось также из спектра СВР. Определение кристаллографических направлений. Пленки, исследованные в работе, были выращены на промышленных подложках из гадолинийгалл иевого граната с плоскостью (111). Нахождение расположения кристаллографических осей в таких пленках, а также пленках с другими плоскостями производили рентгеновским методом. Кроме того, определение расположения осей в пленках осуществлялось путем анализа угловых зависимостей резонансного поля и интенсивности [90]. Отметим, что азимутальная зависимость Нр{сРн) ПРИ промежуточных значениях вн (20° <вн <70°) позволяет довольно точно определить и расположение кристаллографических плоскостей (110}, перпендикулярных плоскости пленки, а также при известном знаке К ] у расположение осей ^1 10^ и (1 12^ в плоскости пленки (111). Такой прием определения плоскости (НО) использовался и при определении Нк, по полярным зависимостям. |