|
51 Рис. 11. Входные и выходные формы СИО Каждое окно соответствует отдельному рабочему месту всей технологической цепочки входного контроля. Для создания СИО СМК производства сложных изделий возникает проблема управления информацией о структуре и характеристиках изделий и процессов. Эта проблема успешно может быть решена только на предприятиях, использующих системы управления данными об изделии (Product Data Management PDM) [52], интегрированные в общие системы управления предприятием. Данные о качестве в такой структуре будут представлять собой таблицы требуемых характеристик и их измеренных значений, присоединенных к информационным объектам (ИО) в БД изделия, процессов, оборудования, персонала и т.д. В такой системе структура изделия представляется в виде древовидной структуры как на рис. 12. |
Каждое окно соответствует отдельному рабочему месту всей технологической цепочки входного контроля. 4.3.3. Для создания СИП СМК производства сложных изделий возникает проблема управления информацией о структуре и характеристиках изделий и процессов. Эта проблема успешно может быть решена только на предприятиях, использующих системы управления данными об изделии (Product Data Management PDM) [53], интегрированные в общие системы управления предприятием.. Данные о качестве в такой структуре будут представлять собой таблицы требуемых характеристик и их измеренных значений, присоединенных к информационным объектам (ИО) в БД изделия, процессов, оборудования, персонала и т.д.[53, 64]. В такой системе структура изделия представляется в виде древовидной структуры как на рис. 4-9. иi т т i лад лдя2.CAZ* айкFarwcSHссйздда «ял О С SOO-o # * 8 ОЙСОМС^тедминая *■*SSSl обеспечения £NC, мвг*риаль<н«сомгиектцощи* . f * f 4 f V V r f f Т S > > 3 f I ^ i Л Л Л , л ж , « » , Р а * * * + + « ' ■ • # I Р 4 » ■ ф Л + Ф W * Ф Ф Р * ■ # DNC-Cab>03S^:Kafeffl&для CNrC600в сбор* >М* * ь * Л г * Лл * V ч ?4&1$ДОМ ftш] [2:w*i КЛ04?64X04T Ко>«а*4с*т<зр: $ ККМТб-t мк^:Конйг«с«гйр; f*«#rj г ^ £104 щт] i Jk ^П€СШАсп^}занмоЙгМ^^»4ас[1адт] l—'Jk SN74fttS24^tMwKpoc;ices«:Ш«я*} \" SS^epes.rtfG 4W «rttx [: кнт I Ш№&яшь&ж1 КД522&Д*тJ4uni $> т т ш т м т ^ ^ т т ш т $mij J fa № 53У Я П >^М «фос)й»^: 2ttar] даШ Ш -К азрц ввы й реэакзтср’.П и!т{ Jfa МЯТ4}J 26-1кОм^Ра$**стскр:[3щт] ЫЙТ-8Л25-100*О^Реза*г<#с [5itffj ^ МОТ43/32546кСмРслмстяр; [2шг] Jfa МПТ^Д25-ШамРв5^стор; И MflT*SU25-S80ОмРаа^стср £3шт] MAT4Ш-1€ Ом:Резистор \?tiff] HR-4-9M-2K2 реанстяроя. J8шт ПП4>НС-01:Пвчвгиаяглагл {1ик) КР^533Ш 7;М № ^»сч€Мз: П ШСТЮ-Ш-8ер**яяпанельа сбйре;1 П шт] ^ 9«нггсзморваМ3к20:£чвигсздврезЛ[бшг Ш & ONCПрограммна©сйаспечен*» ‘ * Ь * * г % 5 М ? . * . 5 5 5 3 Л М ш Рис. 4-9. Структуры изделия в среде PDM. 113 |