|
Прямая подстановка (2.1) в (2.4) позволяет проанализировать влияние микрои макронапряжений на текущее число выбросов МШ. В п. 2.1.1 показаны зависимости максимальной амплитуды Вм от уровня микро(рис. 2.2) и макронапряжений (рис. 2.4). Как следует из (2.4) максимальной амплитуде Вм соответствует максимальное значение NM максимум числа выбросов, при значении напряженности поля перемагничивания Нм. Соответствующая зависимость максимума числа выбросов NM от максимума Вм приведена на рис. 2.5, она имеет нелинейный и однозначный характер. Следовательно, зависимость число выбросов МШ от микрои макронапряжений имеет сходный характер с выводами п. 2.1.1. Изменение Вм в диапазоне 0,2...0,8 (рис. 2.5) приводит к изменению NM в диапазоне 0,1...0,9, что позволяет утверждать о большей чувствительности числа выбросов МШ к микрои макронапряжениям, что соответствует практическим результатам [43, 62, 99]. На рис. 2.6 приведена графическая реализация соотношения (2.4), соответствующая кривым 2, 3 и 4 рис. 2.3. Видно, что текущее число выбросов МШ имеет максимальное значение, совпадающее с положением Вм по полю перемагничивания. Этот максимум выражен в большей степени, т.к. передний и задний фронты этих кривых имеют более крутой характер, чем на рис. 2.3. Влияние уровня селекции С’ иллюстрируется кривыми 1 и 3 рис. 2.6. Увеличение С уменьшает число выбросов, т.к. часть импульсов ЭДС СБ по амплитуде не достигают уровня ограничителя измерительного устройства. Выражение (2.4) хотя и позволяет качественно оценить влияние микрои макронапряжений на эмиссионные характеристики, однако его практическое использование затруднено. Это связано с тем, что при изменении микрои макронапряжений меняются параметры А, а, 3 формы импульсов ЭДС СБ. Кроме того, на эмиссионные характеристики существенное влияние оказывает структурный параметр rQ , отражающий 45 |
Текущая частота выбросов МШ определяется величиной уровня селекции С, формой и амплитудой импульсов ЭДС СБ и неоднородностью интенсивности потока импульсов СБ Ц/) по петле гистерезиса. Учитывая, что функция v(f) является модулирующей для дисперсии МШ (2.47), по аналогии с выражением (2.2) можно интенсивность потока СБ определить в виде функции В(Н) (2.43) распределение СБ по полю перемагничивания. При линейном перемагничивании, как это принято на практике, распределение СБ по полю перемагничивания равносильно распределению по времени B(H)~B(t)= v(t). Прямая подстановка (2.43) в (2.54) позволяет проанализировать влияние макрои микронапряжений на текущее число выбросов. В п. 2.2.2 показаны зависимости максимума Вм от микронапряжений (рис. 2.16) и макронапряжений (рис. 2.19). Как следует из (2.54) максимуму Вм соответствует максимальное значение Jm при значении поля перемагничивания Нм. Соответствующая зависимость Jm = F(Bm) приведена на рис. 2.22, она имеет нелинейный и однозначный характер. Следовательно зависимость число выбросов МШ от микрои макронапряжений имеет сходный характер с выводами п. 2.2.2. Изменение Вм в диапазоне 0.2 ч0.8 (рис. 2 .2 1 ) приводит к изменению Jm в большем диапазоне 0.1 -ь 0.9, что позволяет утверждать о большей чувствительности числа выбросов ЭДС к микрои макронапряжениям, что соответствует практическим результатам [14, 19]. На рис. 2.21 приведена графическая реализация соотношения (2.54), соответствующая кривым 2, 3, 4 рис. 2.18. Видно, что текущее число выбросов МШ имеет максимальное значение совпадающее с положением Вм по полю перемагничивания. Этот максимум выражен в большей степени, т.к. передний и задний фронты этих кривых имеют более крутой характер, чем на рис. 2.18. $ Влияние уровня селекции С иллюстрируется кривыми 1 и 3 рис. 2.21. Увеличение С снижает число выбросов, т.к. часть импульсов ЭДС СБ по величине не достигают уровень ограничителя измерительного устройства. Выражение 2.54 хотя и позволяет качественно оценить влияние микрои макронапряжений на эмиссионные характеристики, однако его практическое использование затруднено. Это связано с тем, что при изменении микрои макронапряжений меняются параметры а, Д А формы импульсов ЭДС СБ. Кроме того на эмиссионные характеристики существенное влияние оказывает структурный параметр д/-г0 (см. п. 2 .2 .1), отражающий дисперсность микронапряжений и который не учитывается в выражении (2.54). ♦ 72 |