|
по 4.1.3. Методики экспериментальных исследований Методики экспериментальных исследований отрабатывались в условиях воздействия вертикальной и горизонтальной поляризаций СКИ ЭМП и при различных положениях БЦВМ. При проведении экспериментальных исследований воздействия СКИ ЭМП на БЦВМ в качестве возбуждающего генератора установки СКИ ЭМП дополнительно использовался высокочастотный генератор импульсов ГИВЧ-05/10. При этом на выходе генератора устанавливались следующие частоты импульсов: 1 кГц; 1 МГц без использования полупроводникового обострителя фронта импульсов. Напряженность воздействующих СКИ ЭМП при этом составляла ~ 100-2000 В/м. Определение параметров воздействующих СКИ ЭМП. Определение амплитуды СКИ ЭМП При проведении экспериментальных исследований к входу излучателя СКИ ЭМП через соединительный высоковольтный кабель подсоединялся генератор высоковольтных импульсов ГИН-20-1. Определение амплитуды воздействующих СКИ ЭМП проводится в дальней зоне излучателя на расстоянии Y=4 м в соответствии с рис. 4.5. излучатель СКЮМД, Рис. 4.5. Схема определения параметров воздействующих СКИ ЭМП Для этого измеритель параметров воздействия СКИ ЭМП ИППЛ-Л через линию связи подсоединяется к входу стробоскопического осциллографа DPO 71604. Проводится регистрация импульсов на экране осциллографа. При помощи маркеров осциллографа определяется амплитуда ииппл.л импульсов на выходе ИППЛ-Л. Амплитуда импульсов напряженности электрического поля Ензл определяется по формуле: Еизл.сшп эми и,1ппл.л / КПр, где Кпр коэффициент преобразования И1111Л-Л. |
Ill Продолжение таблицы 4.5 Излучатель длинноволновых СКИ ЭМП Напряженность электрического поля на расстоянии 1 10 м: (30-1) кВ/м, -длительность фронта излучаемых импульсов-0,3 нс, -длительность излучаемых импульсов 1 нс; -частота следования импульсов 5 кГц. Генератор сигналов высокочастотный Г4-129 Частота выходных сигналов: 350 МГц 1200 МГц. Погрешность установления частоты ±0,5%. Максимальная амплитуда выходных импульсов не менее на нагрузке 50 Ом 1 В. Погрешность установления амплитуды ±5%. Генератор сигналов высокочастотный Г4-107 Частота выходных сигналов: 10 МГц 400 МГц. Погрешность установления частоты ±0,5%. Максимальная амплитуда выходных импульсов не менее на нагрузке 50 Ом -1 В. Погрешность установления амплитуды ±5%. Экранированная кабина из состава ГЭТ 148-93 Коэффициент подавления наведенных помех не менее 60 дБ. Безэховая камера из состава ГЭТ 148-93 Коэффициент отраженных помеховых сигналов не менее 30 дБ, рабочий объем 5x3x2,2 м3. Соединительный высоковольтный кабель Полоса пропускания не менее 10 ГГц, длина не менее 0,5 м. К проведению исследований допускаются подготовленные лица, изучившие устройство и принципы работы излучателей, ознакомленные с руководствами по эксплуатации и другой эксплуатационной документацией, имеющие опыт работы с контрольноизмерительными приборами и аппаратурой. 4.2.2. Методики экспериментальных исследований Методики экспериментальных исследований отрабатывались в условиях воздействия СКИ ЭМП на различные видеокамеры и системы видеонаблюдения. При проведении экспериментальных исследований воздействия СКИ ЭМП на СВ в качестве возбуждающего генератора макета установки СКИ ЭМП дополнительно использовался высокочастотный генератор импульсов ГИВЧ-05/10. При этом на выходе генератора устанавливались следующие частоты импульсов: 2,78 кГц; 4,76 кГц; 13,9 кГц; 69,0 кГц; 118 кГц; 603 кГц; 1,20 МГц; 5,0 МГц и 10,0 МГц без использования полупроводникового обострителя фронта импульсов и 0,6 кГц; 2,78 кГц; 4,76 кГц; 13,9 кГц; 69,0 кГц; 118 кГц; 603 кГц; 1,20 МГц при использования полупроводникового обострителя фронта импульсов. Напряженность воздействующих СКИ ЭМП при этом составляла 50-100 В/м. Определение параметров воздействующих СКИ ЭМП. Определение амплитуды СКИ ЭМП 112 При проведении экспериментальных исследований к входу излучателя СКИ ЭМП через соединительный высоковольтный кабель подсоединятся генератор высоковольтных импульсов ГИН-20-1. Определение амплитуды воздействующих СКИ ЭМП проводится в дальней зоне излучателя на расстоянии Y=4 м в соответствии с рис. 4.5. Ишучани1,СШПЭМИ Рис. 4.5. Схема определения параметров воздействующих СКИ ЭМП Для этого измеритель параметров воздействия СКИ ЭМП ИППЛ-Л через линию связи подсоединяется к входу стробоскопического осциллографа TMR8120M. Проводится регистрация импульсов на экране осциллографа. При помощи маркеров осциллографа определяется амплитуда ииппл-л импульсов на выходе ИППЛ-Л. Амплитуда импульсов напряженности электрического поля Еизл определяется по формуле: Еичл.СШП ЭМИ = Ииппл-л / Кпр, где Кпр коэффициент преобразования ИППЛ-Л. Определение амплитуды воздействующих СКИ ЭМП при использовании возбуждающего генератора импульсов ГИВЧ-0,5/10 и воспроизводимых излучателем длинноволновых СКИ ЭМП проводится аналогично. Определение длительности фронта СКИ ЭМП. Длительность фронта воздействующих СКИ ЭМП между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды измеряется в дальней зоне излучателя на расстоянии Y=4 м в соответствии с рис. 4.9. Проводится регистрация импульсов на экране осциллографа и при помощи маркеров осциллографа определяется длительность фронта СКИ ЭМП между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды. |