Проверяемый текст
Ольшевский, Александр Николаевич. Разработка методического обеспечения оценки устойчивости систем видеонаблюдения при внешних мощных электромагнитных воздействиях (Диссертация 2007)
[стр. 111]

Ill Определение амплитуды воздействующих СКИ ЭМП при использовании возбуждающего генератора импульсов ГИВЧ-0,5/10 и воспроизводимых излучателем длинноволновых СКИ ЭМП проводится аналогично.
Определение длительности фронта СКИ ЭМП.
Длительность фронта воздействующих СКИ ЭМП между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды измеряется в дальней зоне излучателя на расстоянии Y=4 м в соответствии с рис.

4.5.
Проводится регистрация импульсов на экране осциллографа
и при помощи маркеров осциллографа определяется длительность фронта СКИ ЭМП между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды.
Определение длительности фронта воздействующих СКИ ЭМП при использовании возбуждающего генератора импульсов ГИВЧ-0,5/10 и воспроизводимых излучателем длинноволновых СКИ ЭМП проводятся аналогично.
Определение длительности СКИ ЭМП.
Измеряется длительность воздействующих СКИ ЭМП аналогично предыдущему пункту.
При помощи маркеров осциллографа определяется
длительность СКИ ЭМП на уровне 0,5 от амплитуды.
Определение длительности воздействующих СКИ ЭМП при использовании возбуждающего генератора импульсов
ГЙВЧ-0,5/10 и воспроизводимых излучателем длинноволновых СКИ ЭМП проводится аналогично.
Определение
частоты следования СКИ ЭМП.
Измерительный преобразователь ИППЛ-Л через линию связи подсоединяется к входу осциллографа цифрового запоминающего Tektronix
DPO 71604.
Проводится регистрация импульсов на экране осциллографа.

Маркерами осциллографа определяется период Т
пмп следования импульсов.
Частота следования СКИ ЭМП определяетсяпо формуле: fимп
= 1/ТМШ1.
Определение частоты следования воздействующих СКИ ЭМП при использовании возбуждающего генератора импульсов ГИВЧ-0,5/10 и воспроизводимых излучателем длинноволновых СКИ ЭМП проводятся аналогично.
4.2
Разработка программы методики проведения экспериментальных исследований стойкости БЦВМ к воздействию мощных сверхкоротких импульсных электромагнитных полей Программа и методика экспериментальных исследований разработана с целью нормативного обеспечения исследовательских испытаний устройств радиоэлектронного управления, вычислительной техники и преобразования напряжения на стойкость к воздействию сверхкоротких импульсов электромагнитного поля (СКИ ЭМП).
СКИ ЭМП являются одним из видов преднамеренных силовых электромагнитных воздействий, под которыми понимается создаваемые с использованием излучателей электромагнитного поля воздействия, которые могут вызывать нарушение функционирования электронных устройств.
Преднамеренные силовые электромагнитные воздействия могут осуществляться открыто или скрытно («закамуфлированным» под действие электромагнитных помех), дистанционным (по эфиру) или контактным (по сети) способами с целью вызвать отказ электронных систем.
В настоящей программе и методике экспериментальных исследований регламентированы общие требования к БЦВМ по стойкости к СКИ ЭМП, установлены параметры испытательных воздействий, виды испытаний и степени жёсткости воздействий, методы и средства испытаний, определены порядок
[стр. 112]

112 При проведении экспериментальных исследований к входу излучателя СКИ ЭМП через соединительный высоковольтный кабель подсоединятся генератор высоковольтных импульсов ГИН-20-1.
Определение амплитуды воздействующих СКИ ЭМП проводится в дальней зоне излучателя на расстоянии Y=4 м в соответствии с рис.
4.5.
Ишучани1,СШПЭМИ Рис.
4.5.
Схема определения параметров воздействующих СКИ ЭМП Для этого измеритель параметров воздействия СКИ ЭМП ИППЛ-Л через линию связи подсоединяется к входу стробоскопического осциллографа TMR8120M.
Проводится регистрация импульсов на экране осциллографа.

При помощи маркеров осциллографа определяется
амплитуда ииппл-л импульсов на выходе ИППЛ-Л.
Амплитуда импульсов напряженности электрического поля Еизл определяется по формуле: Еичл.СШП ЭМИ = Ииппл-л / Кпр, где Кпр коэффициент преобразования ИППЛ-Л.
Определение амплитуды воздействующих СКИ ЭМП при использовании возбуждающего генератора импульсов ГИВЧ-0,5/10 и воспроизводимых излучателем длинноволновых СКИ ЭМП проводится аналогично.
Определение
длительности фронта СКИ ЭМП.
Длительность фронта воздействующих СКИ ЭМП между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды измеряется в дальней зоне излучателя на расстоянии Y=4 м в соответствии с рис.

4.9.
Проводится регистрация импульсов на экране осциллографа и при помощи маркеров осциллографа определяется длительность фронта СКИ ЭМП между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды.


[стр.,113]

113‘ Определение длительности фронта воздействующих СКИ ЭМП при использовании возбуждающего генератора импульсов ГИВЧ-0,5/10 и воспроизводимых излучателем длинноволновых СКИ ЭМП проводятся аналогично Определение длительности СКИ ЭМП.
Измеряется длительность воздействующих СКИ ЭМП аналогично предыдущему пункту.
При помощи маркеров осциллографа определяется длительность
СКИ ЭМП на уровне 0,5 от амплитуды.
Определение длительности воздействующих СКИ ЭМП при использовании возбуждающего генератора импульсов
ГИВЧ-0,5/10 и воспроизводимых излучателем длинноволновых СКИ ЭМП проводится аналогично.
Определение частоты следования СКИ ЭМП Измерительный преобразователь ИППЛ-Л через линию связи подсоединяется к входу осциллографа цифрового запоминающего Tektronix
TDS784D.
Проводится регист-' рация импульсов на экране осциллографа.

Маркерами осциллографа определяется период Т
имп следования импульсов.
Частота следования СКИ ЭМП определяется по формуле: f
ИМ1 = 1/Т.мин Определение частоты следования воздействующих СКИ ЭМП при использовании возбуждающего генератора импульсов ГИВЧ-0,5/10 и воспроизводимых излучателем длинноволновых СКИ ЭМП проводятся аналогично.
4.2.3
Программа методика проведения экспериментальных йсследований воздействия СКИ ЭМП на СВ.
Программы экспериментальных исследований.
Целью исследований является: исследование работоспособности объектов исследований при воздействии сверхкоротких электромагнитных импульсов; проверка основных характеристик объектов исследований после воздействия СКИ ЭМП.
определение параметров воздействующих СКИ ЭМП, приводящих к нарушениям в работе объектов исследований.
Исследования проводятся в следующем объеме: определение параметров воздействующих СКИ ЭМП; воздействие на СВ сверхширокополосными электромагнитными импульсами; определение основных характеристик СВ после воздействия СКИ ЭМП.

[Back]