48 Категория ”Т” предназначена для обозначения испытательных уровней при стендовых испытаниях на соответствие более низким требованиям к восприимчивости к радиочастотным помехам. Она также указана в нормах по полям излучения высокой интенсивности. Категории ” W” и ”Y” предназначены для обозначения испытательных уровней, при испытаниях, показывающих соответствие полям высокой интенсивности (HIRF). Категория "Z" предназначена для обозначения испытаний проводимости с ограничениями или другими видами модуляции, чем указаны в настоящем разделе. Контрольные уровни при испытаниях на восприимчивость к излученным помехам находятся в диапазоне 50-100 В/м. Уровни испытаний на восприимчивость к помехам в кабельных линиях в диапазоне частот 0.01 МГц-400 МГц находятся в приделах 1-300 м А и приведены в [41]. 2.1.2 Требования к параметрам внешних электромагнитных полей. Требования по стойкости к ЭМИ ВЯВ, предъявляемых к бортовому оборудованию крупногабаритных объектов. Для объектов в полете и на поверхности земли основным поражающим фактором при ядерном взрыве на высотах более 50 км является ЭМИ ВЯВ. Размеры источника ЭМИ в зависимости от высоты взрыва достигают 100-2000 км. В воздухе и на поверхности земли амплитуды напряженностей падающих ЭМП лежат в диапазоне 50...60 кВ/м и характеризуются длительностями фронта 1...5 нс при длительности импульса на полувысоте 25 нс [9 ]. Таблица 2.2 Параметры внешних падающих электромагнитных полей ВЯВ. Напряженность электрического поля 50 60 кВ/м ' Напряженность магнитного поля 130 -160 А/м Длительность фронта по уровню 0.1 0.9 амплитудного значения 1 -5 нс Длительность импульса на полувысоте 20-25 нс Требования к параметрам сверхкоротких импульсных ЭМП Анализ стандартов МЭК и существующих излучателей ЭМИ показывает, что основные требования к БЦВМ, средствам метрологического обеспечения испытаний БЦВМ на стойкость к СКИ ЭМП должны разрабатываться, исходя из импульсов ЭМП со следующими параметрами: напряженность электрического поля в диапазоне от 1 кВ/м до 150 кВ/м; длительность фронта импульса от 0,1 нс до 0.5 нс; длительность импульса доли и единицы наносекунд; частота повторения импульсов от 1 кГц до 1 МГц. Проведенный анализ существующей экспериментальной базы для оценки стойкости БЦВМ к воздействию СКИ ЭМП показал, что наиболее подходящим инструментом для испытаний элементов БЦВМ на стойкость к воздействию СКИ ЭМП являются излучатели на базе антенных решеток из ТЕМ рупоров и |
46 посмотреть на вторую камеру. Пост просмотра записей, предполагается, находится в кабинете начальника охраны или в комнате хранения видеокассет. Популярно вместе с постом просмотра в запертую комнату с контролируемым доступом помещать и основную аппаратуру. В обычном режиме туда заходят только один раз в сутки для смены видеокассет в магнитофонах и общего контроля аппаратуры. Длительное нахождение там рядовых сотрудников не допускается. При установке системы ограничения доступа функции управления видеосистемой следует возложить на общий компьютерный терминал отображения состояния и управления системой. Вторую и очень важную группу требований СВ составляют требования по параметрам электромагнитной обстановки. Анализ требований к различным СВ показал, что в большинстве случаев требования к СВ задаются по ЭМС и совсем отсутствуют требования к СВ в условиях воздействия мощных гармонических полей и СКИ ЭМП. Анализ стандартов МЭК и существующих излучателей ЭМИ показывает, что основные требования к СВ, средствам метрологического обеспечения испытаний СВ на стойкость к СШП ЭМИ должны разрабатываться, исходя из импульсов ЭМП со следующими параметрами: напряженность электрического поля в диапазоне от 1 до 100 кВ/м; длительность фронта импульса от 100 до 500 пс; длительность импульса от сотен пикосекунд до единиц наносекунд; частота повторения импульсов от 1 до 1000 Гц. Проведенный анализ существующей экспериментальной базы для оценки стойкости СВ к воздействию СКИ ЭМП показал, что наиболее подходящим инструментом для испытаний элементов СВ на стойкость к воздействию СКИ ЭМП являются излучатели на базе антенных решеток из ТЕМ рупоров и отечественных полупроводниковых генераторов. По имеющимся отечественным и зарубежным данным уровни воздействия ЭМИ различных источников могут достигать амплитуд 50-100 кВ/м. Анализ приведенных данных показывает, что СШП импульсы обладают высокой эффективностью воздействия на технические средства. Эти обстоятельства имеют принципиальное значение при оценке наведенных токов и напряжений в различных элементах СВ, так как приводят к необходимости уточнения расчетных моделей и требований к средствам защиты. Амплитудные значения и диапазон частот воздействующих гармонических полей варьируются в зависимости от типа РТС в очень широких пределах: от единиц мВ/м до |