|
Значение постоянной с определяется из условия, что сумма вероятностей Р(Но) по всем возможным значениям поля Н (от 0 до оо) равна 1, т.е. 00 с fexp0 jK + faroH Лах d3H = \ отсюда ■jK + Ло, Act Выражение для закона распределения количества элементарных участков ДГ по значениям критических полей в интервалах АН может быть получено умножением (2.2) (с учетом L и с) на объем шарового слоя 4лН2АН (в "пространстве значений" Но [55]): Г(Я)АЯ = 4дЯ2 у/К + Ла, Аст ( exp ч Ну/К + Ла, a Act, MJ, (2.3)J Эта формула отражает распределение Но в случае изотропности микронапряжений и магнитных фаз в перемагничиваемом объеме. Действие упругих напряжений приведет к перераспределению магнитных фаз, при этом соотношение их концентраций nj можно записать как [59, 60]: ехр(-ДЯ,) Еехр(-£А)’ 37 |
L JK +Ло■о аЛст Значение постоянной с определяется из условия, что сумма распределения вероятностей критических полей Р(Н0) по всем возможным Н (от 0 до оо) равна 1, т.е. 00 с jexp о К + Л<т0Н аЛа 1 отсюда с JSC+ До-р Лег \ 3 J ■ Выражение для закона распределения количества элементарных участков доменных границ по значениям критических полей в интервалах АН может быть получено умножением (2.41) (с учетом L и С ) на объем шарового слоя 4т в "пространстве Но" [86]): / F(H)AH =4пН2 V ■JK+Л(70 Лег \3 ехр J H^jK +Лсг0 аЛа ■\ АН (2.42) J Эта формула отражает распределение Н0 в случае изотропности микронапряжений и магнитных фаз в перемагничиваемом объеме. Действие упругих напряжений приведет к перераспределению магнитных фаз, при этом соотношение их концентраций щможно записать как [81]: Щ exp(-L, Я ,) Уехр(-£,Я,.)' к Учитывая, что сумма V ехр(-Д#.) распространяется на все к возможные значения Н( и является величиной постоянной для данного материала, а также то, что упругие напряжения не вызывают изменений градиентов микронапряжении, т.е. параметра допустимо предположить, что К + Лсу§^ * 60 |