|
45 Расчеты, проведенные А. Ф. Полаком, показали, что в основе процессов кристаллизации лежит образование зародышей-контактов в узком зазоре между сближенными кристалликами. Представления о сущности элементарных актов при кристаллизационном структурообразован ии были развиты Е. Д. Щукиным и его сотрудниками, которые экспериментально установили закономерности формирования кристаллизационных контактов и прямыми опытами доказали определяющую роль в этих процессах зародышей-контактов, выделяющихся из пересыщенных растворов. Формирование кристаллизационных контактов обусловлено двумерной миграцией молекул подвижных адсорбционных слоев. Диффундируя в соответствии с принципом минимума энергии в зазор между частицами гидрата, находящимися на расстоянии ближней коагуляции, молекулы или молекулярные пары подвижных адсорбционных слоев контактируемых частиц образуют устойчивые перемычки, которые при содействии механизма химической сшивки, по М. М. Сычеву, формируют кристаллизационный контакт. Образовавшиеся таким образом зародыши представляют кристаллическую перемычку между отдельными кристалликами, а все кристаллики, связанные друг с другом такими перемычками, в совокупности образуют пространственную кристаллизационную структуру. Теоретические разработки и выполненные экспериментальные исследования показали, что возникновение кристаллизационной структуры может происходить при выполнении следующих условий. Во-первых, частицы дисперсной фазы должны находиться на достаточно малом расстоянии Нк, при котором возможно образование кристаллизационных контактов между ними (рис. 2.1а). Во-вторых, концентрация растворенного вещества в дисперсионной среде должна быть больше растворимости гидрата, т. е. система должна быть метастабильной (по В. Оствальду). Расстояние между частицами ИК9 при котором возможно формирование кристаллизационных контактов, по А. Ф. Полаку, равно (2.1) |
щими через жидкостные и структурированные прослойки толщиной в несколько молекул. Расчеты, проведенные А. Ф. Полаком, показали, что в основе процессов кристаллизации лежит образование зародышей-контактов в узком зазоре между сближенными кристалликами. Представления о сущности элементарных актов при кристаллизационном структурообразован и и были развиты Е. Д. Щукиным и его сотрудниками, которые экспериментально установили закономерности формирования кристаллизационных контактов и прямыми опытами доказали определяющую роль в этих процессах зародышейконтактов, выделяющихся из пересыщенных растворов. Формирование кристаллизационных контактов обусловлено двумерной миграцией молекул подвижных адсорбционных слоев. Диффундируя в соответствии с принципом минимума энергии в зазор между частицами гидрата, находящимися на расстоянии ближней коагуляции, молекулы или молекулярные пары подвижных адсорбционных слоев контактируемых частиц образуют устойчивые перемычки, которые при содействии механизма химической сшивки, по М. М. Сычеву, формируют кристаллизационный контакт. Образовавшиеся таким образом зародыши представляют кристаллическую перемычку между отдельными кристалликами, а все кристаллики, связанные друг с другом такими перемычками, в совокупности образуют пространственную кристаллизационную структуру. Теоретические разработки и выполненные экспериментальные исследования показали, что возникновение кристаллизационной структуры может происходить при выполнении следующих условий. Во-первых, частицы дисперсной фазы должны находиться на достаточно малом расстоянии Л*, при котором возможно образование кристаллизационных контактов между ними (рис. 2.1а). Во-вторых, концентрация растворенного вещества в дисперсионной среде должна быть больше растворимости гидрата, т. е. система должна быть метастабильной (по В. Оствальду). Расстояние между частицами к„ при котором возможно формирование кристаллизационных контактов. |