|
46 где <5() межмолекулярное расстояние; а степень пересыщения раствора (а = с/сао); а степень пересыщения, при которой возможно возникновение двумерных зародышей роста (ог*~1,5); <р = 281 а энергия отрыва одной молекулы с поверхности; х~ коэффициент физико-химической неоднородности. а) б) Рисунок 2.1 Механизм срастания кристаллов при: а) И < 380; б) И > 350. Чем выше пересыщение раствора, тем больше может быть расстояние между срастающимися частицами гидрата, при котором возможно образование кристаллизационной структуры. И наоборот, как показал А. Ф. Полак, если каким-либо образом сблизить частицы до минимального расстояния И ~360 (§о— размер молекулы), пересыщение в системе может быть весьма незначительным а 1. В этом случае появляется возможность получения кристаллизационных структур из порошков, в процессе твердения которых не происходит их гидратации, например, из порошков двуводного гипса. В работе [70] описывается технология получения облицовочных плит из двуводного гипса путем прессования водных паст с одновременным отводом воды. Дальнейшие исследования этих авторов позволили успешно применить данный технологический прием для получения изделий из фосфогипса без предварительной его переработки в вяжущее [9, 94]. При этом вполне очевидно, что при прессовании полусухих смесей, в отличие от технологии, предусматривающей отвод излишней воды, сблизить частицы двуводного гипса на расстояние необходимое для образования кристаллизационной структуры невозможно. Это обусловлено низким водосодержанием смеси и невысоким давлением прессования. При прессовании возникают силы трения между частицами твердой фазы и о стенки пресс-формы, что не позволяет достичь |
но А. Ф. Полаку, равно 49 М К = °>^с 1па 1па' I \па 2 4<р \х Г1пс‘ кТ 1п а (2.1) где д0 межмолекулярное расстояние; а степень пересыщения раствора (а=с1с„); а*степень пересыщения, при которой возможно возникновение двумерных зародышей роста (л*~1,5); (р = 282 <тэнергия отрыва одной молекулы с поверхности; х. коэффициент физико-химической неоднородности. Рисунок 2.1 Механизм срастания кристаллов при: а)И <> 350; б) И > 350. Чем выше пересыщение раствора, гем больше может быть расстояние между срастающимися частицами гидрата, при котором возможно образование кристаллизационной структуры. И наоборот, как показал А. Ф. Полак, если каким-либо образом сблизить частицы до минимального расстояния И ~35о (6о размер молекулы), пересыщение в системе может быть весьма незначительным а ~ 1. В этом случае появляется возможность получения кристаллизационных структур из порошков, в процессе твердения которых не происходит их гидратации, например, из порошков двуводного гипса. В работе [70] описывается технология получения облицовочных плит из двуводного гипса путем прессования водных паст с одновременным отводом воды. Дальнейшие исследования этих авторов позволили успешно применить данный технологический прием для получения изделий из фосфогипса без предварительной его переработки в вяжущее [9, 94]. При этом вполне очевидно, что при прессовании полусухих смесей, в отличие от технологии, предусматривающей отвод излишней воды, сблизить частицы фосфогипса на расстояние необходимое для образования кристаллизационной структуры невозможно. Это обусловлено низким водосодержанием смеси и невысоким давлением прессования. При прессовании возникают силы трения между частицами твердой фазы и о стенки пресс-формы, что не позволяет достичь оптимального уплотнения смеси. Следовательно, для таких систем необходимо повысить пересыщение жидкой фазы относительно двуводного гипса, т.е. выполнить второе условие возникновения структуры. Этого можно достичь, если в систему ввести некоторое количество полуводного гипса. Вследствие этого процесса происходит обрастание исходных кристаллов ДГ, что приводит к уменьшению расстояния между ними (рис. 2.16). При уменьшении зазора между частицами до критического размера (И ~360) возникают мостики срастания, и образуется пространственная кристаллизационная структура. Однако пространственная структура может не возникнуть, если начальное расстояние между частицами ДГ слишком велико, т. е. исходная смесь не достаточно уплотнена и количество вяжущего ПГ недостаточно для того, чтобы при его гидратации зазор между кристаллами ДГ уменьшился до критического. Возможность такого развития процесса отмечается в работе Е. Е. Сегаловой и П. А. Ребиндера, которые показали, что возникновение контактов срастания возможно только в начале гидратации, а на более поздней стадии исчезают условия для их образования [1151. Дня характеристики сродства образующихся зародышей и подложки А. Ф. Полак ввел понятие физико-химической неоднородности, которая может быть количественно оценена коэффициентом XВеличина х изменяется в пределах от 0 до 2. Значение х = 0 соответствует идентичности новообразования и подложки. При х “ 2 между зародышем и подложкой никаких связей не возникает, и физико-химическая неоднородность достигает своего максимального значения. В комбинированной гипсовой системе подложкой может |